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82.
83.
Solubilization of the armchair, metallic (10,10) single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) in toluene is modeled using molecular dynamics simulations. Inter- and intra-molecular atomic interactions in the SWCNT + toluene system are represented using COMPASS (Condensed-phased Optimized Molecular Potential for Atomistic Simulation Studies), the first ab initio forcefield that enables an accurate and simultaneous prediction of various gas-phase and condensed-phase properties of organic and inorganic materials.The results obtained show that due to a significant drop in the configurational entropy of toluene, the solvation Gibbs free energy for these nanotubes in toluene is small but positive suggesting that a suspension of these nanotubes in toluene is not stable and that the nanotubes would fall out of the solution. This prediction is consistent with experimental observations.  相似文献   
84.
This paper presents the rapid, low-temperature bonding between silicon and steel using the rapid thermal annealing process. Three different thin-film adhesion layer systems including silver, gold, and nickel were utilized as the intermediate bonding material to assist the eutectic Pb/Sn bonding between silicon and steel. The bonding temperature was set at 220/spl deg/C for 20 s, with a 20-s ramp-up time. Five experiments were conducted to determine the strength of the bond, including static tensile and compressive four-point bend tests, axial extension tests, tensile bending fatigue tests, and corrosion resistance tests. The test results have shown that the gold adhesion layer is the most robust, demonstrating minimal creep during fatigue tests, no delamination during the tensile or compressive four-point bend tests, and acceptable strength during the axial extension tests. Additionally, all adhesion layers have withstood four months of submersion in various high-temperature solutions and lubricants without failure. Simulations of the axial stresses and strains that developed during the four-point bend and axial extension tests were performed and showed that the presence of the silicon die provides a local reinforcement of the bond as observed in the experimental tests.  相似文献   
85.
低浓度氨氮条件下厌氧氨氧化反应器的启动研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
周凌  操家顺  蔡娟  许明 《给水排水》2006,32(11):34-37
对低浓度氨氮(12mg/L)条件下厌氧氨氧化反应器的启动进行了试验研究,采用SBR在5个多月的时间内成功实现了厌氧氨氧化反应器的启动,并培养出了颗粒污泥。在稳定运行期间,氨氮和亚硝酸盐氮的去除率分别为94.5%和97.4%;氨氮、亚硝酸盐氮的容积负荷分别为11.4g/(m3·d)和11.1g/(m3·d)。  相似文献   
86.
Transition-metal compound TiC60 thin films were grown by co-deposition from two separated sources of fullerene C60 powder and titanium. Study of structural properties of the films, by Raman spectroscopy, atomic force microscopy, and scanning tunneling spectroscopy reveals that the films have a deformed C60 structure with certain amount of sp3 bonds and a rough surface with a large number of nanoclusters. zV tunnelling spectroscopic measurements suggest that several charge transport mechanisms are involved in as the tip penetrates into the thin film. Conventional field electron emission (FEE) measurements show a high emission current density of 10 mA/cm2 and a low turn-on field less than 8 V/μm, with the field enhancement factors being 659 and 1947 for low-field region and high-field region, respectively. By exploiting STM tunneling spectroscopy, local FEE on nanometer scale has also been characterized in comparison with the conventional FEE. The respective field enhancement factors are estimated to be 99–355 for a gap varying from 36 to 6 nm. The enhanced FEE of TiC60 thin films can be ascribed to structural variation of C60 in the films and the electrical conducting paths formed by titanium nanocrystallites embedded in C60 matrix.  相似文献   
87.
棉织物手感值的模糊综合评判研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用模糊综合评判数学模型对棉织物的手感值进行了计算与分析,这种方法简单、可靠,与主观评估结果有很好的一致性,为纺织生产的质量判断提供了便利。  相似文献   
88.
在600mm的有机玻璃冷模塔中,用水-空气体系测定矩形垂直筛板的塔板压降、漏液和雾沫夹带等流体力学性能,确定了合理的塔板结构,使其具有较高的气液通量和较宽的操作范围,空塔动能因子最大可达3.0kg1/2(m1/2.s)-1,液流强度可达21.6m3/(m.h)。并对不同气液流量下塔板的流体力学实验数据进行关联和分析,得出了矩形垂直筛板的干板压降计算关联式以及漏液率随液流强度和空塔动能因子的变化关系,为矩形垂直筛板的设计提供了依据。与新垂直筛板相比,矩形垂直筛板具有更低的塔板压降。  相似文献   
89.
90.
3-D MCM封装技术及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了超大规模集成电路(VLSI)用的3-D MCM封装技术的最新发展,重点介绍了3-D MCM封装垂直互连工艺,分析了3-D MCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题,并对3-D MCM封装的应用作了简要说明。  相似文献   
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